HAS(Huachiew Archiving System)
Welcome to our digital repository of Huachiew Chalermprakiet University
กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้:
https://has.hcu.ac.th/jspui/handle/123456789/3761| ชื่อเรื่อง: | Gamma-ray irradiation effect on planar defect evolution of lattice-matched InGaAsN/GaAs/Ge grown by MOVPE |
| ผู้แต่ง/ผู้ร่วมงาน: | Pornsiri Wanarattikan Authit Phakkhawan Aparporn Sakulkalavek Nongnuch Jangsawang Suphakan Kijamnajsuk Visittapong Yordsri Sakuntam Sanorpim Pawinee Klangtakai พรสิริ วนรัฐิกาล อุทิศ ภัควัน อาภาภรณ์ สกุลการะเวก นงค์นุช แจ้งสว่าง ศุภกาญจน์ กิจอำนาจสุข วิศิษฏพงศ์ ยอดศรี สกุลธรรม เสนาะพิมพ์ พาวินี กลางท่าไค่ Huachiew Chalermprakiet University. Faculty of Science and Technology King Mongkut's Institute of Technology Ladkrabang. Faculty of Science King Mongkut's Institute of Technology Ladkrabang. Faculty of Science Thailand Institute of Nuclear Technology. Gems Irradiation Center National Science and Technology Development Agency. National Metal and Materials Technology Center National Science and Technology Development Agency. National Metal and Materials Technology Center Chulalongkorn University. Faculty of Science Khon Kaen University. Faculty of Science |
| คำสำคัญ: | Irradiation การฉายรังสี Gamma rays รังสีแกมมา InGaAsN MOVPE Thin films ฟิล์มบาง Semiconductors สารกึ่งตัวนำ |
| วันที่เผยแพร่: | 2024 |
| แหล่งอ้างอิง: | Vacuum 227 (September 2024) : 113396 |
| บทคัดย่อ: | This study explores structural changes in lattice-matched InGaAsN/GaAs/Ge films grown by MOVPE under gamma-ray irradiation. Exposure to a 60Co gamma rays at doses ranging from 0 to 2.0 MGy improved crystal uniformity by increasing surface grain size, reducing roughness from 8.328 nm to 3.512 nm. Planar defects in the GaAs layer traversed the InGaAsN layer, causing interface roughness. Electron diffraction patterns along the [110]-zone axis showed uniform alloy composition. TEM images revealed line contrasts at the GaAs/Ge interface extending into the InGaAsN layer, with boundary-like defects parallel to the growth direction. Additionally, (002) and (002) reflections, along with {111} planes, indicated planar defects, possibly antiphase boundaries. AFM and FESEM confirmed submicron-sized domains, characteristic of antiphase boundaries, in the InGaAsN film. |
| รายละเอียด: | สามารถเข้าถึงบทความฉบับเต็ม (Full Text) ได้ที่ : https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0042207X24004421 |
| URI: | https://has.hcu.ac.th/jspui/handle/123456789/3761 |
| ปรากฏในกลุ่มข้อมูล: | Science and Technology - Articles Journals |
แฟ้มในรายการข้อมูลนี้:
| แฟ้ม | รายละเอียด | ขนาด | รูปแบบ | |
|---|---|---|---|---|
| Gamma-ray-irradiation-effect-on-planar-defect-evolution-of-lattice.pdf | 61.29 kB | Adobe PDF | ดู/เปิด |
รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น