สมบัติเชิงโครงสร้างและอิเล็กตรอนของสารประกอบกลุ่ม III-V ที่ผ่านการโดปภายใต้สภาวะรุนแรง

Abstract

โครงสร้างและสมบัติเชิงอิเล็กตรอนของสารประกอบกลุ่ม III-Vที่ผ่านการโดปภายใต้สภาวะรุนแรงได้ทำการศึกษา สมบัติเชิงโครงสร้าง สมบัติเชิงอิเล็กตรอน สมบัติทางแสง และสมบัติทางกล โดยการแทนที่อะตอมของสังกะสี(Zn) ซิลิกอน (Si) ดีบุก (Sn) และกำมะถัน (S) ลงในโครงสร้างอินเดียมฟอสไฟด์ในโครงสร้างซิงค์เบลน (ZB) และแบบหินเกลือ (RS) ได้รับการ ตีพิมพ์ในวารสารระดับนานาชาติ ผลวิจัยพบว่ากระบวนการแทนที่เกิดได้ดีในโครงสร้างแบบหินเกลือมากกว่าในซิงค์เบลน พันธะเคมี Zn-P ในซิงค์เบลนแข็งแรงที่สุดเมื่อเทียบกับชนิดอื่นๆ ซึ่ง คือ Zn-P>Si-In>S-In>Sn-In ตามลำดับ ความเป็นไดอิเล็กตริกของสารอินเดียมฟอสไฟด์ลดลง เมื่อสารถูกโดปและกลายเป็นโลหะที่ความถี่สูง ลำดับสัมประสิทธิ์ของการดูดกลืนแสงเทียบกับสารเจือ คือ Sn>Si>S>Zn และมันลดลงภายใต้ความดันที่สูงขึ้น ความเสถียรทางกลได้รับการทดสอบและเป็นไปตามหลักความเสถียรของบอร์น สารเจือลดมอดูลัสเฉือนของอินเดียมฟอสไฟด์อัตราส่วนมอดูลัสบ่งชี้ว่าความแข็งเหนียวของอัลลอยด์อินเดียมฟอสไฟด์ลดลงเมื่ออยู่ในโครงสร้างแบบหินเกลือ และความแข็งเหนียวของสารจะลดลงได้เนื่องจากผลของการเจือให้เป็นอัลลอยด์

Structural and electronic properties of doped III-V binary compounds under extreme conditions were studied. Structural, electronic, optical and mechanical properties of Zn, Si, Sn and S substitutions on InP supercell under pressure in zinc blende (ZB) and rock salt (RS) phases were published on an international journal. It was found that the lower enthalpy difference in RS structure indicates that the spontaneous process of impurity substitution can be occurred in RS more than in ZB. The chemical bonding of Zn-P in ZB is the strongest sharing electrons when compared with other compounds, Zn-P>Si-In>S-In>Sn-In. The dielectric performance of InP is reduced by the alloying effect, and it transforms to the conductor performance as high frequencies. Order of photo-absorption coefficient in range of visible light with the impurities is Sn>Si>S>Zn, and it reduces under high-pressure. Mechanical stability of InP alloys was observed, and satisfied the Born stability criteria. The impurities reduce Shear modulus of pure InP. B/G ratio indicates that ductility of InP alloys is reduced, when it transformed to RS. The ductility of InP is induced by the alloying effect due to the B/G ratio increasing.