สมบัติเชิงอิเล็กตรอนในสภาวะรุนแรงของสารกึ่งตัวนำกลุ่ม III-V

Abstract

ในวิทยาศาสตร์พื้นฐาน สมบัติทางกายภาพของวัสดุประกอบด้วยการเปลี่ยนเฟส โครงสร้างเชิงอิเล็กตรอน และสมบัติทางกล มีการศึกษาอย่างแพร่หลายเพื่อประยุกต์ไปยังอุปกรณ์นวัตกรรมต่างๆ สารประกอบสองธาตุในกลุ่ม III-V ได้รับการตรวจสอบเพื่อประยุกต์ในกระบวนการผลิตเซลล์สุริยะ ในงานวิจัยนี้สนใจศึกษาสมบัติทางกายภาพภายใต้สภาวะรุนแรงของสารกลุ่ม III-V พบว่าโครงสร้างเสถียรต่างๆ สามารถเปลี่ยนแปลงได้เนื่องจากผลกระทบของความดันสูง ช่องว่างแถบพลังงานของสารกลุ่ม III-V เพิ่มขึ้นและยอดของความหนาแน่นสถานะลดลงภายใต้ผลของความดันสูง ความดันสูงเป็นเงื่อนไขของสถานะกระตุ้นทำให้เกิดการลดลงของสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงของสารประกอบกลุ่ม III-V

In basic sciences, physical properties of materials, including phase transition, electronic structure and mechanical property, are widely studied to apply in many innovation devices. The binary compounds in a group of III-V are investigated for applying in photovoltaic cell production. In this research, III-V compounds were investigated the physical properties under extreme conditions. It was found that stable structures can be changed by the high-pressure effect. Band gaps of III-V compounds are increased, and peaks of DOS are reduced under high-pressure effect. High-pressure is the excited state condition, and it reduces photoabsorption coefficient of III-V compounds.