สมบัติความยืดหยุ่นของสารกลุ่ม I-III-VI2 ภายใต้ความดัน

Abstract

สมบัติของสารกึ่งตัวนำกลุ่ม I-III-VI2 ภายใต้ความดันซึ่งประกอบไปด้วย การเปลี่ยนเฟสเชิงโครงสร้าง สมบัติเชิงอิเล็กตรอน และสมบัติความยืดหยุ่น สามารถคำนวณจากการคำนวณด้วยหลักการพื้นฐาน การคำนวณนี้สามารถทำโดยการแก้สมการโคห์น-ชามโดยใช้พื้นฐานของทฤษฎีฟังก์ชันนอลความหนาแน่น ในการศึกษาสมบัติความยืดหยุ่นของสารกึ่งตัวนำกลุ่ม I-IIIVI2 โดยสนใจศึกษาสาร 3 ชนิด คือ CuInSe2 CuGaSe2 และ CuAlSe2 พบว่าสารในกลุ่มดังกล่าวมีความแข็งเพิ่มขึ้นภายใต้ความดัน ลำดับความแข็งของสารที่สภาวะความดันเดียวกันขึ้นอยู่กับธาตุในหมู่ III-A

High-pressure properties of I-III-VI2 semiconductors which consist of structural phase transitions, electronic properties and elastic properties can be calculated from first-principle calculation. The first principle calculation can be calculated from Kohn-Sham equations based on the density functional theory. To study elastic properties of I-III-VI2 semiconductors, it was focused on the difference three types of group IIIA which are CuInSe2, CuGaSe2 and CuAlSe2. It was fond that the hardness of an interested material increases under high-pressure. The hardness of materials at a given pressure depend on size of atom in group III-A.