สมบัติเชิงอิเล็กตรอนของสารก้อน 3 มิติ จะสามารถเปลี่ยนแปลงได้เนื่องจากขนาดของสารถูกจำกัดในระดับ นาโนเมตร สำหรับการศึกษาระบบสารกึ่งตัวนำสถานะที่เป็นไปได้ของประจุพาหะในตัวซึ่งคือ สมบัติเริ่มต้นของสมบัติ เชิงอิเล็กตรอนอื่น ๆ ในสารชนิดหนึ่งจะถูกทำให้ลดลงเนื่องจากผลของมิติ การเพิ่มขึ้นของสถานะต้องห้ามในฟังก์ชันของ ความหนาแน่นสถานะสามารถสร้างขึ้นโดยผลของขนาดนาโน ตัวอย่างการใช้ทฤษฎีฟังก์ชันนอลความหนาแน่นคำนวณพบว่า ช่องว่างของระดับพลังงาน HOMO-LUMO ห่างกันมากขึ้นด้วยในสภาวะโมเลกุลเดี่ยวเมื่อเปรียบเทียบกับสารก้อน
Electronic properties of the three dimensional bulk materials can be changed due to size effects in range of nanometers. For studying of semiconductors system, an available state of intrinsic carriers which is an initial property of other electronic properties in a material will be reduced because of the dimension effect. The increasing of forbidden states in a function of electronic density of states is generated by nanosize effects. For example, the calculated results from density functional theory suggested that the HOMO-LUMO energy gap of CuInSe2 on isolated molecule is increased when compared with bulk condition.
